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KEYENCE基恩士推出SI-F80R系列分光干涉式激光位移計

供稿：基恩士（中國）有限公司 2011/10/14 15:44:24
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SI-F80R 系列 分光干涉式晶片厚度計
分光干涉式晶片厚度計 －－>
產(chǎn)品索引

 

分光干涉式晶片厚度計
•  即使已貼附背面研磨帶也可測量晶片厚度
•  將圖案的影響降到最小
•  可在生產(chǎn)線上進行測量
•  自動映射整個晶片的厚度分布
采用近紅外 SLD，即使已貼附 BG 帶也可測量晶片本身的厚度。即使晶片表面存在由于圖案而產(chǎn)生的顯著差異，也可實現(xiàn)準確的生產(chǎn)線上測量。
 
 

產(chǎn)品特性
 

 

精確的只測量晶片厚度

 
關(guān)于本產(chǎn)品的詳細內(nèi)容，請使用右上方的圖標下載目錄后確認。

 
SI-F80R 系列使用近紅外 SLD，可穿過硅、砷化鎵、碳化硅、磷化銦、非晶硅及其它半導體。即使晶片已封上 BG（背磨）膠帶，也可精確測出晶片厚度。
 
SI-F80R
 
 
精確的只測量晶片厚度
 

同類中最高的規(guī)格
 
同類中最高的規(guī)格

 

幾乎不受晶片圖案的影響

 
關(guān)于本產(chǎn)品的詳細內(nèi)容，請使用右上方的圖標下載目錄后確認。

 
通過減小光點直徑和光點內(nèi)的表面相差，可最大限度的減少晶片表面圖案的變化和測量警報的發(fā)生次數(shù)。
 
圖案化硅晶片厚度分布數(shù)據(jù)
 
 
幾乎不受晶片圖案的影響
 

 

之前的所有問題迎刃而解

 
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[傳統(tǒng)方式]
接觸式測量
使用兩個傳感器一上一下不接觸晶片進行測量
接觸式測量 使用兩個傳感器一上一下不接觸晶片進行測量
• 測量時可能會損壞晶片。
• 傳感器將測量包括 BG 膠帶在內(nèi)的高度，一旦膠帶厚度發(fā)生變化，整個結(jié)果就會出現(xiàn)誤差。		 • 很難在一條直線上對齊兩個傳感器的光軸。
• 傳感器將測量包括 BG 膠帶在內(nèi)的厚度，一旦膠帶厚度發(fā)生變化，整個結(jié)果就會出現(xiàn)誤差。
   

 
 
SI-F80R 系列
 

 
緊靠生產(chǎn)線進行簡單精確的測量 在生產(chǎn)線中持續(xù)監(jiān)控
緊靠生產(chǎn)線進行簡單精確的測量 在生產(chǎn)線中持續(xù)監(jiān)控
• 只需將傳感器放在距離晶片 80 mm 的位置，即可輕松進行測量。
• 不接觸晶片，避免晶片損傷。
• 傳感器可直接只測量晶片厚度，因此測量不受 BG 膠帶的影響。		 • 小巧的傳感頭可安裝在距離晶片 80 mm 的位置，因此可在拋光的同時在設備內(nèi)部持續(xù)監(jiān)控晶片厚度。

相關(guān)產(chǎn)品請下載：

http://nbwatch.net/company/datum/2013091615505600001.htm

 

更多內(nèi)容請訪問 基恩士（中國）有限公司（http://c.gongkong.com/?cid=44538)

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